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Advanced Semicondactor Inc.社

ASI社は、RFパワー·トランジスタとマイクロ波ダイオードを製造しています。ASI社はISO 9001登録企業であり、部品交換や新しい設計用に、製造廃止された部品や見つけるのに難しい部品を専門に製造しています。RFパワー·トランジスタのラインは、モトローラ、フィリップス、SGSトムソン製の部品の代替品を主に製造しています。マイクロ波ダイオードのラインは、HP、M / A-COM、Alpha、およびLoral/Frequencyの代替品を主に製造しています。

ASI社は、1979年に設立され、イギリス、フランス、インド、エジプトにオフィスを構えています。ASI社の顧客は世界各地の政府や大企業から中小企業まで及んでおり、顧客サービスへに最善を尽くす責務を持ち、常にユーザーのニーズが満たされていることを確認するために全力を尽くしています。

RFパワートランジスタとマイクロ波ダイオードでのASI社の特殊性は、次の主要な利点を提供することができます。

  • 最終購入に直面している企業にとって、今後どうするかを決定するは一つの挑戦です。ASI社は、必要なものだけ購入するように、コンポーネントを製造し続けることによって、この問題を解決します。高価な最終購入や必要以上の在庫も必要なく、廃止されたコンポーネントに由来するアプリケーションの再設計も必要ありません。
  • 見つけるのに困難な、または製造廃止された部品を探している企業に、高品質の部品を安定的に提供します。それによって、新たに製造された製品を取得でき、部品がどのくらい在庫品としてとどまるか、それが誤って扱われたかについて心配する必要はありません。

ASI社の製品ラインには、バイポーラ、FETエンハンスメント·モードと、最大300ワットの出力電力で1.0 MHzから4.2 GHzの周波数スペクトルをカバーするLDMOS FETデバイスが含まれています。トランジスタは、バランスのとれた構成を含む様々な密封パッケージや非密封パッケージが利用可能です。多くの設計では性能向上のために内部インピーダンスマッチングネットワークを備えています。

ASI社のトランジスタやダイオードのデータシート(英文)

 

製品インデックス

トランジスタ

ASI社は、モトローラ、フィリップス、SGSトムソン社製のRFパワートランジスタと互換性のあるトランジスタを製造しています。ASIは、最大600ワットの出力電力の1.0 MHzから4.2 GHzの周波数スペクトルをカバーするバイポーラRFパワートランジスタ、エンハンスメントモードFETのRFパワートランジスタとLDMOS FETのRFパワートランジスタを提供しています。 RFパワートランジスタは、バランスドコンフィギャレーションの密封パッケージや非密封パッケージなどがあります。RFパワートランジスタのデザインの多くは性能向上のために内部インピーダンス整合回路を備えています。

特定のRFパワートランジスタを見つけるには、「ここ」をクリックし、以下の適切なアプリケーションのリンクをクリックするか、左側のトランジスタ部品番号索引からプレフィックスによる代替トランジスタファミリを選択します。クイック検索では、検索ボックス内に部品番号または部品番号の接頭辞を入力します。

ダイオード

ASI社は,HP, M/A-COM, Alpha, 及び Loral/Frequency sources社製のマイクロウェーブ・ダイオードと互換性のあるダイオードを製造しています。

特定のマイクロ波ダイオードを見つけるには、「ここ」をクリックし、画面左上にパートナンバ入力ボックスに、ダイオードの部品番号を入力するか、または他の左下のダイオード部品番号インデックスで目的のダイオード部の接頭ファミリをクリックしてください。

電気的仕様、パフォーマンスグラフ、製品概要などASIマイクロ波ダイオードのドキュメントのリストを参照するには、以下の目的のダイオード型リンクをクリックします。

VIMOSTM

VIMOSTMとは何ですか?

VIMOSTMは、パルスアンプ用に特別に設計された高出力RFトランジスタ技術です。 VIMOSTMデバイスは、優れたRF性能を提供します。 加えて、それらは非常に頑丈で、過負荷、過電圧、そしてVSWR 20:1に耐えます。 ASI社は非常に競争力のある価格で高品質、優れたRFデバイスを提供しています。私たちはそれを証明してみましょう。ASI社のトランジスタを試験し、解析して下さい。

VIMOSTM対LDMOS/GaN系

VIMOSTMは、半導体工学の数十年に基づくシリコンベースの技術です。 GaNはまだ揺籃期にあります。デバイスは、頑丈さに関して脆弱で、追加の電力供給が複雑で、法外な費用がかかります。

VIMOSTM技術は、特に、パルス、高出力RF増幅器のために設計されています。 一方、LDMOSは無線基地局のために設計され、その後これらのタイプのアプリケーションのために採用されました。 VIMOSTMのデバイスは、LDMOSのカウンターパートとして、より堅牢なアンプを作くり、LDMOSへの依存、暴露とリスクを軽減するのと同じパッケージを使用します。

VIMOSTMは、競争力のあるコストで、お使いのアンプの堅牢性を向上させ、現場故障を減らし、大幅に製品のサイズと重量を削減します。

VIMOSのデータシート

 

アプリケーション対応デバイス

希望するRFトランジスタを探すにはアプリケーションを選択してください。

希望するダイオードを探す。

放送アプリケーション

FM放送

88〜108 MHzのコモンエミッタでクラス"C"で作動するシングルエンドトランジスタ及びバランスドトランジスタ。Vccが28および50 VDCの1〜250 W CWデバイス。

UHF TV 放送

470〜860 MHzのコモンエミターで"A"及び"AB"クラスで作動するのシングルエンドトランジスタ及びバランスドトランジスタ。Vccofが28〜32 VDCで0.5〜150 W P(SYNC)のデバイス。

VHF TV 放送

54〜225 MHzのコモンエミターで"A"及び"AB"クラスで作動するのシングルエンドトランジスタ及びバランスドトランジスタ。Vccofが28〜32 VDCで0.5〜250 W P(SYNC)のデバイス。

パワーモジュール

  • FM放送アプリケーション:88〜108 MHz帯域幅、最大300ワットまでのデザイン
  • VHF TVアプリケーション:クラスA及びABの54〜88 MHz 及び 174〜225 MHz、250ワットPK同期のデザイン
  • UHF TVアプリケーション:クラスA及びABの470〜860 MHz、50ワットPK同期のデザイン

通信アプリケーション

HF通信

2〜30 MHzのコモンエミッタでAB級動作のシングルエンドトランジスタ。モバイルおよび固定のAM / SSBアプリケーションのためのVccが12.5、28.0及び50 VDCで1〜250ワット PEPデバイス。

VHF通信

50〜175 MHzのコモンエミター・クラスC作動のシングルエンドトランジスター。AM / FMの携帯と固定のアプリケーションのためのVccが12.5、28.0及び50 VDで、1〜150ワットCWデバイス。

UHF通信

450〜512 MHzのコモンエミッタ・クラスC級動作のシングルエンドトランジスタ及びバランスドトランジスタ。FM移動無線アプリケーション用のVccが12.5 VDC、1〜150ワットCWデバイス。

806〜960 MHzのコモンベース・クラスC作動用シングルエンド及びバランスドトランジスタ。FM基地局アプリケーション用のVcc24 VDCで1〜60ワットCWデバイス。

806〜960 MHzのコモンベース・クラスC作動用シングルエンド及びバランスドトランジスタ。FM基地局アプリケーション用のVcc24 VDCで1〜60ワットCWデバイス。

860〜960 MHzからコモンベース・クラスAB作動用シングルエンド及びバランスドトランジスタ。線形セルラー基地局アプリケーション用のVcc24 VDCで1〜150ワットPEP デバイス。

マイクロ波通信

1.4〜2.7 GHzのコモンベース・クラスC作動用シングルエンドトランジスター。FMマイクロ波リンク用のVccが20および24 VDで1〜18ワットCWデバイス。

軍用

アビオニクス

960〜1215 MHzのコモンベース・クラスC作動のシングルエンドトランジスタ及びバランスドトランジスタ。DME、IFFとTACANアプリケーション用のVccが28.0〜50 VDCで1〜600ワットパルスデバイス。

通信

100〜500 MHz のコモンエミター・クラスA、ABおよびC作動のためのシングルエンドトランジスタ及びバランスドトランジスタ。航空機、モバイルおよび固定局アプリケーション用のVccが28.0 VDCで1〜125ワットCWデバイス。

レーダ

400〜3100 MHzのコモンベース・クラスC作動のシングルエンドトランジスタ及びバランスドトランジスタ。L及びSバンドパルスレーダ用のVccが28.0と50 VDCで1〜500ワットパルスデバイス。