マイクロ波関連機器
概要
(1)家庭用の電子レンジはある程度の大きさを加熱することは可能ですが、
微小物（例えば5mm x 5mm x 5mm）の加熱は難しくなります。
(2)本システムはこの微小領域に置かれた物を正確に加熱、反応等の実験及び
観察測定が出来る装置です。
開発の目的
(1)高価格材料を最少量で実験出来るシステム
(2)微小領域内、電磁界印加時の化学反応解析
(3)実験材料、量産化条件データの作成
(4)チャンバーは分解、清掃、組み立て容易、再現性を重視
特徴
- マイクロ波の出力電力を可変出来る機器
- 印加電力を正確に高速応答で表示出来る機。
- 微小範囲に電磁界を照射出来る装置
- 放射した電気エネルギーの効率を高めた製品
- 試験体の大きさの変更が可能
- 電磁界印加微小領域の設定が可能
- 温度制御、分光計センサの取り付け可能
- 電力発生器が半導体のため小型化、高信頼性の製品
- 必要最小限機器からビルドアップ可能な装置
使用例
- (1)金コロイド等ナノテク材料の開発実験
- (2)フロン等ガスの分解、水素ガス等の分離実験
- (3)EL等有機材料の開発、合成実験
- (4)無電極ランプの励起現象解析
- (5)半導体製造装置のガス流量の混合条件測定
- (6)電波吸収材の電磁界解析、材料の開発
- (7)誘電体材料の温度特性測定
- (8)インク、汚泥等の水分蒸発過程観測
通信用トランジスタ TH430C,D,E マッチドペア
TH430 について
クロニクス株式会社はカスタム品としての通信用トランジスタ、TH430C，D，E を販売しています。
通常、TH430はそのHFEが、A，B，C，D，E，F，Gと7種類に分けて販売されていますが、そのうちのHFE選別品TH430C，D，Eのみをペア組みしたものを納入することができるようになりました。
この選別品はメーカーではVce＝6V Ic＝10A で選別されています。
- HFE クラスC ：22.5－27 TH430C
- HFE クラスD ：27 －32 TH430D
- HFE クラスE ：32 －38 TH430E
この製品はインダストリアル・スタンダードTH430を生産しているメーカーのダイを使用し、同じアセンブリで生産されており、安心してご使用いただけます。実際、ダイ、アセンブリ、テストは、米国MICROSEMI社がカスタム製品として生産しています。
また、このトランジスタは、輸入された後に、さらに国内の弊社ラボにて、Vce＝10V、Ic＝300mA にて全品テストされ，その値が近いものから順番に並べかえて発送されます。この2回目の選別により、TH430
が実際に使用されるプッシュプル回路でご使用いただきますと、電流が均一に流れ、機器の信頼性を上げることができます。
なお、VCE＝10V の選別のほうが、実際の使用条件により近い値となります。またそのHFEは鉛筆でトランジスタ上に記入されます。
TH430の電気的特性はSTマイクロエレクトロニクス社の「SD1728」と同じです。
SD1728
データシート
TH430セレクションについて
クロニクス社（またはMICROSEMI社）のTH430は、国内ではHFEの選別品をペアで納入しております。これは機器の信頼性を上げるために必要です。なお、HFEのランクA、B、F、Gは除いてあります。
マッチングスペックは次の通りです。
TH430のHFEの選別条件は：lc＝10A Vce＝6V
| HFEクラス |
値 |
備考 |
| A |
15-19 |
|
| B |
19-22.5 |
|
| C |
22.5-27 |
C,D,Eこのランクのみを供給 |
| D |
27-32 |
| E |
32-38 |
| F |
38-45 |
|
| G |
>45 |
|
ご注文に際しては
- TH430C、または
- TH430D、または
- TH430E
と指定してください。
ランクCのみを選択しますと、価格が高くなり、入手性が悪くなります。これは生産してからHFE選別を行うため、それぞれのクラスの歩留まりが悪くなるためです。なるべくC以外の製品と組み合わせてください。
また、この製品はクロニクスが輸入し、弊社ラボが下記の条件で特別にHFEを測定してペア組にしたものです。
条件はVCE＝10VIc＝300mAです。
