Polyfet RF Device社プロフィールと製品一覧
Polyfet RF Device社プロフィー
Polyfet RF Devices社は、広帯域RFパワートランジスタとパワーモジュールの製造元です。 私たちは、1988年以来事業を続けている民間企業です。Polyfet RF Devices社のデバイスは、最先端の設備を使って処理された窒化ガリウム、LDMOS、VDMOS技術で構成されています。 最大50Vdc、3GHz、および600Wの最大動作条件を備えています。 Polyfet RF Devices社の製品は、軍事通信、テレビ放送、NMRなどのアプリケーションに使用されています。 Polyfet RF Devices社は、お客様のデバイス選択からアンプ設計へのサポートを支援する技術スタッフを採用しています。 長期生産サポートに対するPolyfet RF Devices社のコミットメントは、陳腐化が問題となる場所で当社の製品を使用する軍事請負業者の魅力を高めています。。
製品一覧
LDMOS(Lateral DMOS Transistor)
LDMOSは1996年の夏に導入された新しい一連のトランジスターです。LDMOS技術は、1500Mhzまでの周波数で高利得、高効率そして優れた直線性を提供します。1000MHzでは典型的な利得は13dB、500Mhzでは16dBです。利得11dBで1GHzにおいて100W以内のRF出力を期待することができます。LDMOSトランジスターは、その構築物の中にBEO(ベリリウム酸化物)を持っていないことという追加長所を持っています。
- 入力電圧：
- 7.5,12.5,28,50 V
- 周波数：
- DC 〜 1500 MHZ
- 出力：
- 6 〜 600 W
- 高利得
VDMOS(Vertical DMOS Transistor)S シリーズ
VDMOSのFシリーズは1985年以来生産中でした。フィードバック・キャパシタンスCrssが極めて少ない高い作動特性を持ったVdmosトランジスターのSシリーズを最近生産しています。これにより、Rfパワー利得や出力、また、効率が改善されました。
モジューラ概念を使用して、装置を造るという事実、このことにより、どの製品も時代おくになるということはありません。作動電圧が50V、28Vおよび12.5Vのトランジスターがあります。
- 入力電圧：
- 12.5,28,50 V
- 周波数：
- DC 〜 1500 MHZ
- 出力：
- 4 〜 400 W
Gallium Nitride Transistor
- 入力電圧：
- 28,48 V
- 周波数：
- DC 〜 2500 MHZ
- 出力：
- 10 〜 85 W
- 高効率及び高利得
Gallium Nitride Transistorのショートカタログ
RFモジュール
Polyfet社はMOSFETやGaN技術を用いたRFモジュールを製造しています。
